ةغراف قوستلا ةبرع

0.2 A, 240 V, 20 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

:مقر ءزجلا
BSP129E7941
:عناصلا
Infineon Technologies
:جتنملا دودح
Transistوأs (BJT)
BSP129E7941

جتنملا تامولعم

Terminal FinishMATTE TIN
Terminal FوأmGULL WING
Power Dissipation Ambient-Max1.7 W
Package ShapeRECTANGULAR
StatusACTIVE
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Transistوأ Element MaterialSILICON
Drain Current-Max (ID)0.2000 A
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max20 ohm
Transistوأ TypeGENERAL PURPOSE POWER
Pulsed Drain Current-Max (IDM)0.6000 A
Channel TypeN-CHANNEL
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
DS Breakdown Voltage-Min240 V
Surface MountYes
Case ConnectionDRAIN
Operating ModeDEPLETION
Number of Terminals4
Terminal PositionDUAL
Number of Elements1
Package StyleSMALL OUTLINE


ةحاتإلا لجأ نم لصتا
:لجال رعسلا  لك:ىندألا دحلا  1

فدهتسملا رعسلا

.اًيضار كلعجن دقو ، لوبقملا رعسلا ضرعاكب صاخلا فدهتسملا رعسلا

ينف معد

ينف معد

ءالمعلا ءارآ

ةعجارم بتكأ

ءالمعلا باوجو لاؤس

لاؤس حرط