ةغراف قوستلا ةبرع

1 A, 800 V, 12.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

:مقر ءزجلا
FS1UM-16A
:عناصلا
:جتنملا دودح
Transistوأs (BJT)

جتنملا تامولعم

StatusACTIVE
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Channel TypeN-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)3 A
Terminal FوأmTHROUGH-HOLE
Operating ModeENHANCEMENT
Number of Terminals3
Transistوأ ApplicationSWITCHING
Drain Current-Max (ID)1 A
Case ConnectionDRAIN
Transistوأ Element MaterialSILICON
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Terminal PositionSINGLE
Transistوأ TypeGENERAL PURPOSE POWER
Package ShapeRECTANGULAR
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max12.3 ohm
Package StyleFLANGE MOUNT
DS Breakdown Voltage-Min800 V
Number of Elements1


ةحاتإلا لجأ نم لصتا

:لجال رعسلا  لك:ىندألا دحلا  1

فدهتسملا رعسلا

.اًيضار كلعجن دقو ، لوبقملا رعسلا ضرعاكب صاخلا فدهتسملا رعسلا

ينف معد

ينف معد

ءالمعلا ءارآ

ةعجارم بتكأ

ءالمعلا باوجو لاؤس

لاؤس حرط