ةغراف قوستلا ةبرع

VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET

:مقر ءزجلا
RD12MVS1-101,T112
:عناصلا
:جتنملا دودح
Transistوأs (BJT)

جتنملا تامولعم

StatusACTIVE
Channel TypeN-CHANNEL
Package Body MaterialUNSPECIFIED
Mfr Package DescriptionROHS COMPLIANT PACKAGE-10
Terminal FوأmNO LEAD
Operating ModeENHANCEMENT
Package StyleCHIP CARRIER
Drain Current-Max (ID)4 A
Transistوأ ApplicationAMPLIFIER
Highest Frequency BandVERY HIGH FREQUENCY BAND
Number of Elements1
Case ConnectionSOURCE
Transistوأ Element MaterialSILICON
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Terminal PositionQUAD
Transistوأ TypeRF POWER
Package ShapeRECTANGULAR
ConfigurationSINGLE
Number of Terminals3
DS Breakdown Voltage-Min50 V
Surface MountYes


ةحاتإلا لجأ نم لصتا

:لجال رعسلا  لك:ىندألا دحلا  1

فدهتسملا رعسلا

.اًيضار كلعجن دقو ، لوبقملا رعسلا ضرعاكب صاخلا فدهتسملا رعسلا

ينف معد

ينف معد

ءالمعلا ءارآ

ةعجارم بتكأ

ءالمعلا باوجو لاؤس

لاؤس حرط