ةغراف قوستلا ةبرع

4 A, 150 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

:مقر ءزجلا
2SK1861-4101
:عناصلا
:جتنملا دودح
Transistوأs (BJT)

جتنملا تامولعم

StatusDISCONTINUED
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Channel TypeN-CHANNEL
Terminal FوأmGULL WING
Operating ModeENHANCEMENT
Package StyleSMALL OUTLINE
Drain Current-Max (ID)4 A
Transistوأ Element MaterialSILICON
Number of Elements1
Case ConnectionDRAIN
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Terminal PositionSINGLE
Transistوأ TypeGENERAL PURPOSE POWER
Package ShapeRECTANGULAR
ConfigurationSINGLE
Drain-source On Resistance-Max0.6000 ohm
Number of Terminals2
DS Breakdown Voltage-Min150 V
Surface MountYes


ةحاتإلا لجأ نم لصتا

:لجال رعسلا  لك:ىندألا دحلا  1

فدهتسملا رعسلا

.اًيضار كلعجن دقو ، لوبقملا رعسلا ضرعاكب صاخلا فدهتسملا رعسلا

ينف معد

ينف معد

ءالمعلا ءارآ

ةعجارم بتكأ

ءالمعلا باوجو لاؤس

لاؤس حرط