ةغراف قوستلا ةبرع

TRANS/SCHOTTKY 1200V 25A TO263-7

:مقر ءزجلا
GA10SICP12-263
:جتنملا دودح
Transistوأs - FETs

جتنملا تامولعم

CategوأyDiscrete Semiconductوأ Products
FET FeatureSuper Junction
Product PhotosTO263-7
FamilyFETs - Single
Vgs(th) (Max) @ Id-
Series-
Standard Package50
Supplier Device Package*
DatasheetsGA10SICP12-263
Rds On (Max) @ Id, Vgs100 mOhm @ 10A
FET TypeSilicon Carbide, Nوأmally Off
Packaging*
Power - Max170W
Package / Case*
Mounting Type*
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 C25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1403pF @ 800V
Gate Charge (Qg) @ Vgs-


ةحاتإلا لجأ نم لصتا

:لجال رعسلا  لك:ىندألا دحلا  1

فدهتسملا رعسلا

.اًيضار كلعجن دقو ، لوبقملا رعسلا ضرعاكب صاخلا فدهتسملا رعسلا

ينف معد

ينف معد

ءالمعلا ءارآ

ةعجارم بتكأ

ءالمعلا باوجو لاؤس

لاؤس حرط