ةغراف قوستلا ةبرع

Photodiodes Si APD Enhanced fوأ 905nm 230um Area

:مقر ءزجلا
AD230-9-TO52-S1
:نزو
0.001kg

جتنملا تامولعم

TypeNIR Enhanced Response Avalanche Photodiode
Photodiode MaterialSilicon
Peak Wavelength905 nm
Half Intensity Angle Degrees113 deg
Maximum Dark Current1.5 nA
Package / CaseTO-52-S1
Light Current100 nA
Maximum Operating Temperature+ 100 C
Minimum Operating Temperature- 40 C
Mounting StyleThrough Hole
PackagingBulk
Power Dissipation100 mW
ProductAvalanche Photodiode
Reverse Voltage160 V
Rise Time0.55 ns
Sensitivity60 A/W
Factوأy Pack ةيمك50


ةحاتإلا لجأ نم لصتا

:لجال رعسلا  لك:ىندألا دحلا  50

فدهتسملا رعسلا

.اًيضار كلعجن دقو ، لوبقملا رعسلا ضرعاكب صاخلا فدهتسملا رعسلا

ينف معد

ينف معد

ءالمعلا ءارآ

ةعجارم بتكأ

ءالمعلا باوجو لاؤس

لاؤس حرط