ةغراف قوستلا ةبرع

MOSFET 650V 22A E-Mode GaN Preproduction Units

:مقر ءزجلا
GS66506T-E01-TY
:عناصلا

جتنملا تامولعم

Mounting StyleSMD/SMT
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage650 V
Transistوأ PolarityN-Channel
Rds On - Drain-Source Resistance73 mOhms
Channel ModeEnhancement
BrandGaN Systems
Id - Continuous Drain Current22 A
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage1.6 V
PackagingTray
Product CategوأyMOSFET
Qg - Gate Charge4.9 nC
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage+/- 10 V
RoHSDetails
ManufacturerGaN Systems


ةحاتإلا لجأ نم لصتا

:لجال رعسلا  لك:ىندألا دحلا  1

فدهتسملا رعسلا

.اًيضار كلعجن دقو ، لوبقملا رعسلا ضرعاكب صاخلا فدهتسملا رعسلا

ينف معد

ينف معد

ءالمعلا ءارآ

ةعجارم بتكأ

ءالمعلا باوجو لاؤس

لاؤس حرط