ةغراف قوستلا ةبرع

160 mA, 600 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92

:مقر ءزجلا
AP01L60AT
:عناصلا
:جتنملا دودح
Transistوأs (BJT)

جتنملا تامولعم

StatusACTIVE
Channel TypeN-CHANNEL
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Mfr Package DescriptionROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Terminal FوأmTHROUGH-HOLE
Power Dissipation Ambient-Max0.8300 W
Package StyleCYLINDRICAL
Transistوأ ApplicationSWITCHING
Operating ModeENHANCEMENT
Drain Current-Max (ID)0.1600 A
Transistوأ Element MaterialSILICON
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Terminal PositionBOTTOM
Transistوأ TypeGENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL
Package ShapeROUND
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max12 ohm
Number of Terminals3
DS Breakdown Voltage-Min600 V
Number of Elements1


ةحاتإلا لجأ نم لصتا

:لجال رعسلا  لك:ىندألا دحلا  1

فدهتسملا رعسلا

.اًيضار كلعجن دقو ، لوبقملا رعسلا ضرعاكب صاخلا فدهتسملا رعسلا

ينف معد

ينف معد

ءالمعلا ءارآ

ةعجارم بتكأ

ءالمعلا باوجو لاؤس

لاؤس حرط