ةغراف قوستلا ةبرع

400 V, 16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

:مقر ءزجلا
AP01N40G-HF
:عناصلا
:جتنملا دودح
Transistوأs (BJT)

جتنملا تامولعم

Terminal FوأmFLAT
Power Dissipation Ambient-Max1.25 W
Package ShapeRECTANGULAR
StatusACTIVE
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Transistوأ Element MaterialSILICON
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max16 ohm
Transistوأ TypeGENERAL PURPOSE POWER
Pulsed Drain Current-Max (IDM)0.8000 A
Channel TypeN-CHANNEL
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
DS Breakdown Voltage-Min400 V
Transistوأ ApplicationSWITCHING
Surface MountYes
Case ConnectionDRAIN
Mfr Package DescriptionHALOGEN FREE PACKAGE-3
Operating ModeENHANCEMENT
Number of Terminals3
Terminal PositionSINGLE
Number of Elements1
Package StyleSMALL OUTLINE


ةحاتإلا لجأ نم لصتا

:لجال رعسلا  لك:ىندألا دحلا  1

فدهتسملا رعسلا

.اًيضار كلعجن دقو ، لوبقملا رعسلا ضرعاكب صاخلا فدهتسملا رعسلا

ينف معد

ينف معد

ءالمعلا ءارآ

ةعجارم بتكأ

ءالمعلا باوجو لاؤس

لاؤس حرط