ةغراف قوستلا ةبرع

2.7 A, 400 V, 2.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

:مقر ءزجلا
AP03N40AP-HF
:عناصلا
:جتنملا دودح
Transistوأs (BJT)

جتنملا تامولعم

StatusACTIVE
Channel TypeN-CHANNEL
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Mfr Package DescriptionHALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
Pulsed Drain Current-Max (IDM)10 A
Terminal FوأmTHROUGH-HOLE
Power Dissipation Ambient-Max2 W
Package StyleFLANGE MOUNT
Transistوأ ApplicationSWITCHING
Operating ModeENHANCEMENT
Drain Current-Max (ID)2.7 A
Transistوأ Element MaterialSILICON
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Terminal PositionSINGLE
Transistوأ TypeGENERAL PURPOSE POWER
Package ShapeRECTANGULAR
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max2.6 ohm
Number of Terminals3
DS Breakdown Voltage-Min400 V
Number of Elements1


ةحاتإلا لجأ نم لصتا

:لجال رعسلا  لك:ىندألا دحلا  1

فدهتسملا رعسلا

.اًيضار كلعجن دقو ، لوبقملا رعسلا ضرعاكب صاخلا فدهتسملا رعسلا

ينف معد

ينف معد

ءالمعلا ءارآ

ةعجارم بتكأ

ءالمعلا باوجو لاؤس

لاؤس حرط