ةغراف قوستلا ةبرع

0.5 A, 230 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

:مقر ءزجلا
2SK1194-4100
:عناصلا
:جتنملا دودح
Transistوأs (BJT)

جتنملا تامولعم

StatusDISCONTINUED
Channel TypeN-CHANNEL
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Mfr Package DescriptionEPACK-3
Terminal FوأmTHROUGH-HOLE
Power Dissipation Ambient-Max6 W
Package StyleIN-LINE
Transistوأ Element MaterialSILICON
Operating ModeENHANCEMENT
Drain Current-Max (ID)0.5000 A
Case ConnectionDRAIN
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Terminal PositionSINGLE
Transistوأ TypeGENERAL PURPOSE POWER
Package ShapeRECTANGULAR
ConfigurationSINGLE
Drain-source On Resistance-Max8 ohm
Number of Terminals3
DS Breakdown Voltage-Min230 V
Number of Elements1


ةحاتإلا لجأ نم لصتا

:لجال رعسلا  لك:ىندألا دحلا  1

فدهتسملا رعسلا

.اًيضار كلعجن دقو ، لوبقملا رعسلا ضرعاكب صاخلا فدهتسملا رعسلا

ينف معد

ينف معد

ءالمعلا ءارآ

ةعجارم بتكأ

ءالمعلا باوجو لاؤس

لاؤس حرط