لكلا
SIGN IN
وأ
REGISTER
ةيسيئرلا ةحفصلا
تافينصتلا
ةعنصملا تاكرشلا
يباسح
ةلسلا ضرع
ةرشابم ةشدرد
ةغراف قوستلا ةبرع
تافينصتلا
نحاوشلاو تايراطبلا
فوفر ، تايواح ، قيدانص
تايعمجلاو كالسألاو تالباكلا
ةقصاللا داوملاو ةيئايميكلا داوملا
ةيامح ةرئاد
تاراوسسكا - بتاكم - تاكبش - رتويبمك
تالصو ، تالصوم
تابذبذمو تارولب
ةيرارح ةرادإ ، حوارم
ةتمتألاو تاعانصلا
ضرعيو ةيئوضلا تاينورتكلإلا
ةيبلس تانوكم
طخلا ةيامحو ةقاطلا تادادمإ
ريوطتلا ةمظنأ ، نوجمربملا
زييمتلا - تالصوملا هابشأ
ةلماكتملا رئاودلا - تالصوملا هابشأ
تادحولا - تالصوملا هابشأ
تالوحملاو راعشتسالا ةزهجأ
تالحرملاو حيتافملا
شيتفتلاو سايقلاو رابتخالا
جاتنإ تامزلتسمو تادعمو تاودأ
تالوحم
ةددحم ريغ ةئف
Track Orders
كرماوأ عبتت
ةيسيئرلا ةحفصلا
زييمتلا - تالصوملا هابشأ
Transistوأs - RF
Transistوأs RF GaAs Super Lo Noise HJFET
Transistوأs RF GaAs Super Lo Noise HJFET
ةضورعملا ةروصلا نع يلعفلا جتنملا فلتخي دق
:مقر ءزجلا
NE3210S01
:عناصلا
CEL
:نزو
0.001kg
:جتنملا دودح
Transistوأs - RF
:تانايبلا ةقرو
NE3210S01
ةينقتلا تادنتسملا عيمج رظنا
جتنملا تامولعم
Technology Type
pHEMT
Frequency
12 GHz
Gain
13.5 dB
Noise Figure
0.35 dB
Fوأward Transconductance gFS (Max / Min)
55 mS
Drain Source Voltage VDS
4 V
Gate-Source Breakdown Voltage
- 3 V
Continuous Drain Current
70 mA
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Power Dissipation
165 mW
Mounting Style
SMD/SMT
Package / Case
SO-1
Gate-Source Cutoff Voltage
2 V
Packaging
Cut Tape
270 نزخملا يف تادحولا
ةحاتإلا لجأ نم لصتا
:لجال رعسلا
لك
:ىندألا دحلا
10
سبتقا
فدهتسملا رعسلا
.اًيضار كلعجن دقو ، لوبقملا رعسلا ضرعا
كب صاخلا فدهتسملا رعسلا
ينف معد
ينف معد
ءالمعلا ءارآ
ةعجارم بتكأ
ءالمعلا باوجو لاؤس
لاؤس حرط
عاجرتسالاو نحشلا
ةيصوصخلا راعشإ
مادختسالا طورش
انب لصتا
عقوملا ةطيرخ
Industry Component
©
2024
iiiC Commercial Limited. لكلا Rights Reserved.
Quote
×
Part No.
Link
Name *
Reason for Contact
General Inquiry
Place Order
Report Issue
Target Price (Option)
Email Address *
Message *
BOM / Attach Files (Option)
Maximum allowed file size is 10MB