ةغراف قوستلا ةبرع

Transistوأs RF GaAs Super Lo Noise HJFET

:مقر ءزجلا
NE3210S01
:عناصلا
:نزو
0.001kg
:جتنملا دودح
Transistوأs - RF

جتنملا تامولعم

Technology TypepHEMT
Frequency12 GHz
Gain13.5 dB
Noise Figure0.35 dB
Fوأward Transconductance gFS (Max / Min)55 mS
Drain Source Voltage VDS4 V
Gate-Source Breakdown Voltage- 3 V
Continuous Drain Current70 mA
Maximum Operating Temperature+ 125 C
Power Dissipation165 mW
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSO-1
Gate-Source Cutoff Voltage2 V
PackagingCut Tape

270 نزخملا يف تادحولا


ةحاتإلا لجأ نم لصتا

:لجال رعسلا  لك:ىندألا دحلا  10

فدهتسملا رعسلا

.اًيضار كلعجن دقو ، لوبقملا رعسلا ضرعاكب صاخلا فدهتسملا رعسلا

ينف معد

ينف معد

ءالمعلا ءارآ

ةعجارم بتكأ

ءالمعلا باوجو لاؤس

لاؤس حرط