ةغراف قوستلا ةبرع

100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT

:مقر ءزجلا
5SMY86K1280
:عناصلا
:جتنملا دودح
Transistوأs (BJT)

جتنملا تامولعم

StatusACTIVE
Channel TypeN-CHANNEL
Package Body MaterialUNSPECIFIED
Mfr Package Description11.90 X 11.20 MM, DIE-1
Terminal FوأmNO LEAD
Package StyleUNCASED CHIP
Collectوأ Current-Max (IC)100 A
Collectوأ-emitter Voltage-Max1200 V
Transistوأ ApplicationPOWER CONTROL
Number of Elements1
Transistوأ Element MaterialSILICON
Terminal PositionUPPER
Transistوأ TypeINSULATED GATE BIPOLAR
Package ShapeRECTANGULAR
ConfigurationSINGLE
Number of Terminals1
Surface MountYes


ةحاتإلا لجأ نم لصتا

:لجال رعسلا  لك:ىندألا دحلا  1

فدهتسملا رعسلا

.اًيضار كلعجن دقو ، لوبقملا رعسلا ضرعاكب صاخلا فدهتسملا رعسلا

ينف معد

ينف معد

ءالمعلا ءارآ

ةعجارم بتكأ

ءالمعلا باوجو لاؤس

لاؤس حرط