ةغراف قوستلا ةبرع

100 V, 2.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

:مقر ءزجلا
AP01N15GK-HF
:عناصلا
:جتنملا دودح
Transistوأs (BJT)

جتنملا تامولعم

Terminal FوأmGULL WING
Power Dissipation Ambient-Max2.8 W
Package ShapeRECTANGULAR
StatusACTIVE
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Transistوأ Element MaterialSILICON
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max2.6 ohm
Transistوأ TypeGENERAL PURPOSE POWER
Pulsed Drain Current-Max (IDM)2.8 A
Channel TypeN-CHANNEL
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
DS Breakdown Voltage-Min100 V
Transistوأ ApplicationSWITCHING
Surface MountYes
Case ConnectionDRAIN
Mfr Package DescriptionHALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-4
Operating ModeENHANCEMENT
Number of Terminals4
Terminal PositionDUAL
Number of Elements1
Package StyleSMALL OUTLINE


ةحاتإلا لجأ نم لصتا

:لجال رعسلا  لك:ىندألا دحلا  1

فدهتسملا رعسلا

.اًيضار كلعجن دقو ، لوبقملا رعسلا ضرعاكب صاخلا فدهتسملا رعسلا

ينف معد

ينف معد

ءالمعلا ءارآ

ةعجارم بتكأ

ءالمعلا باوجو لاؤس

لاؤس حرط