ةغراف قوستلا ةبرع

0.85 A, 30 V, 1 ohm, 4 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSF

:مقر ءزجلا
VQ3001J
:عناصلا
:جتنملا دودح
Transistوأs (BJT)

جتنملا تامولعم

StatusTransferred
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
ConfigurationSEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Pulsed Drain Current-Max (IDM)3 A
Terminal FوأmTHROUGH-HOLE
Operating ModeENHANCEMENT MODE
Polarity/Channel TypeN-CHANNEL AND P-CHANNEL
Number of Terminals14
Drain Current-Max (ID)0.8500 A
Transistوأ Element MaterialSILICON
Transistوأ ApplicationSWITCHING
Qualification StatusCOMMERCIAL
JESD-30 CodeR-PDIP-T14
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Terminal PositionDUAL
Package ShapeRECTANGULAR
Number of Elements4
Drain-source On Resistance-Max1 ohm
Package StyleIN-LINE
DS Breakdown Voltage-Min30 V
Surface MountNO


ةحاتإلا لجأ نم لصتا

:لجال رعسلا  لك:ىندألا دحلا  1

فدهتسملا رعسلا

.اًيضار كلعجن دقو ، لوبقملا رعسلا ضرعاكب صاخلا فدهتسملا رعسلا

ينف معد

ينف معد

ءالمعلا ءارآ

ةعجارم بتكأ

ءالمعلا باوجو لاؤس

لاؤس حرط