ةغراف قوستلا ةبرع

RF JFET Transistوأs Super Lo Noise HJFET

:مقر ءزجلا
NE3210S01-T1B
:عناصلا
:جتنملا دودح
RF

جتنملا تامولعم

Factوأy Pack ةيمك4000
TechnologyGaAs
Product CategوأyRF JFET Transistوأs
Transistوأ PolarityN-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage- 3 V
Fوأward Transconductance - Min55 mS
BrandCEL
Id - Continuous Drain Current70 mA
Mounting StyleSMD/SMT
Pd - Power Dissipation165 mW
PackagingReel
Frequency12 GHz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage4 V
Gain13.5 dB
Transistوأ TypeHFET
Package / CaseSO-1
NF - Noise Figure0.35 dB
Maximum Operating Temperature+ 125 C
RoHSDetails
ManufacturerCEL


ةحاتإلا لجأ نم لصتا

:لجال رعسلا  لك:ىندألا دحلا  1

فدهتسملا رعسلا

.اًيضار كلعجن دقو ، لوبقملا رعسلا ضرعاكب صاخلا فدهتسملا رعسلا

ينف معد

ينف معد

ءالمعلا ءارآ

ةعجارم بتكأ

ءالمعلا باوجو لاؤس

لاؤس حرط