ةغراف قوستلا ةبرع

MOSFET 20V 4A 2.8W

:مقر ءزجلا
SI1441EDH-T1-GE3
:عناصلا
:نزو
0.0001kg
:جتنملا دودح
Transistوأs - FETs

جتنملا تامولعم

Transistوأ PolarityP-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage- 20 V
Gate-Source Breakdown Voltage10 V
Continuous Drain Current- 4 A
Resistance Drain-Source RDS (on)0.034 Ohms
ConfigurationSingle
Maximum Operating Temperature+ 150 C
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSC-70-6
PackagingReel
Fوأward Transconductance gFS (Max / Min)16 S
Gate Charge Qg22 nC
Minimum Operating Temperature- 55 C
Power Dissipation2.8 W

33000 نزخملا يف تادحولا


ةحاتإلا لجأ نم لصتا

:لجال رعسلا  لك:ىندألا دحلا  100

فدهتسملا رعسلا

.اًيضار كلعجن دقو ، لوبقملا رعسلا ضرعاكب صاخلا فدهتسملا رعسلا

ينف معد

ينف معد

ءالمعلا ءارآ

ةعجارم بتكأ

ءالمعلا باوجو لاؤس

لاؤس حرط