ةغراف قوستلا ةبرع

MOSFET 100V 90A E-Mode GaN Preproduction Units

:مقر ءزجلا
GS61008P-E04-TY
:عناصلا

جتنملا تامولعم

Mounting StyleSMD/SMT
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage100 V
Transistوأ PolarityN-Channel
Rds On - Drain-Source Resistance7.4 mOhms
Channel ModeEnhancement
BrandGaN Systems
Id - Continuous Drain Current90 A
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage1.6 V
PackagingTray
Product CategوأyMOSFET
Qg - Gate Charge16 nC
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage+/- 10 V
RoHSDetails
ManufacturerGaN Systems


ةحاتإلا لجأ نم لصتا

:لجال رعسلا  لك:ىندألا دحلا  1

فدهتسملا رعسلا

.اًيضار كلعجن دقو ، لوبقملا رعسلا ضرعاكب صاخلا فدهتسملا رعسلا

ينف معد

ينف معد

ءالمعلا ءارآ

ةعجارم بتكأ

ءالمعلا باوجو لاؤس

لاؤس حرط