ةغراف قوستلا ةبرع

Photodiodes Si APD Enhanced fوأ 905nm 1130um Area

:مقر ءزجلا
AD1100-9-TO52-S1
:نزو
0.001kg

جتنملا تامولعم

TypeNIR Enhanced Avalanche Photodiode
Photodiode MaterialSilicon
Peak Wavelength905 nm
Half Intensity Angle Degrees92 deg
Maximum Dark Current10 nA
Package / CaseTO-52
Light Current1 uA
Maximum Operating Temperature+ 100 C
Minimum Operating Temperature- 40 C
Mounting StyleThrough Hole
PackagingBulk
Power Dissipation100 mW
ProductAvalanche Photodiode
Reverse Voltage180 V
Rise Time1.3 ns
Sensitivity60 A/W
Factوأy Pack ةيمك20


ةحاتإلا لجأ نم لصتا

:لجال رعسلا  لك:ىندألا دحلا  1

فدهتسملا رعسلا

.اًيضار كلعجن دقو ، لوبقملا رعسلا ضرعاكب صاخلا فدهتسملا رعسلا

ينف معد

ينف معد

ءالمعلا ءارآ

ةعجارم بتكأ

ءالمعلا باوجو لاؤس

لاؤس حرط