ةغراف قوستلا ةبرع

Photodiodes Si APD Enhanced fوأ 905nm.33mm Area

:مقر ءزجلا
AD003B-9-TO5i
:نزو
0.002kg

جتنملا تامولعم

TypeNIR Enhanced Response Avalanche Photodiode
Photodiode MaterialSilicon
Peak Wavelength905 nm
Half Intensity Angle Degrees120 deg
Maximum Dark Current6 nA
Package / CaseTO-5i
Light Current1 uA
Maximum Operating Temperature+ 70 C
Minimum Operating Temperature- 20 C
Mounting StyleThrough Hole
PackagingBulk
Power Dissipation100 mW
ProductAvalanche Photodiode
Reverse Voltage120 V
Rise Time1 ns
Sensitivity60 A/W
Factوأy Pack ةيمك25


ةحاتإلا لجأ نم لصتا

:لجال رعسلا  لك:ىندألا دحلا  1

فدهتسملا رعسلا

.اًيضار كلعجن دقو ، لوبقملا رعسلا ضرعاكب صاخلا فدهتسملا رعسلا

ينف معد

ينف معد

ءالمعلا ءارآ

ةعجارم بتكأ

ءالمعلا باوجو لاؤس

لاؤس حرط