ةغراف قوستلا ةبرع

X BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET

:مقر ءزجلا
FPD1500
:عناصلا
:جتنملا دودح
Transistوأs (BJT)

جتنملا تامولعم

StatusACTIVE
Channel TypeN-CHANNEL
Mfr Package DescriptionDIE
Terminal FوأmNO LEAD
Operating ModeDEPLETION
Package StyleUNCASED CHIP
Transistوأ ApplicationAMPLIFIER
Highest Frequency BandX BAND
Transistوأ Element MaterialSILICON
FET TechnologyHIGH ELECTRON MOBILITY
Terminal PositionUPPER
Transistوأ TypeRF POWER
Package ShapeRECTANGULAR
Number of Elements1
Package Body MaterialUNSPECIFIED
DS Breakdown Voltage-Min10 V
Surface MountYes


ةحاتإلا لجأ نم لصتا

:لجال رعسلا  لك:ىندألا دحلا  1

فدهتسملا رعسلا

.اًيضار كلعجن دقو ، لوبقملا رعسلا ضرعاكب صاخلا فدهتسملا رعسلا

ينف معد

ينف معد

ءالمعلا ءارآ

ةعجارم بتكأ

ءالمعلا باوجو لاؤس

لاؤس حرط