ةغراف قوستلا ةبرع

X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET

:مقر ءزجلا
FPD200-000
:عناصلا
:جتنملا دودح
Transistوأs (BJT)

جتنملا تامولعم

Terminal FinishNOT SPECIFIED
Terminal FوأmNO LEAD
Power Dissipation Ambient-Max0.5000 W
Package ShapeRECTANGULAR
StatusDISCONTINUED
Lead FreeYes
Package Body MaterialUNSPECIFIED
Transistوأ Element MaterialGALLIUM ARSENIDE
EU RoHS CompliantYes
ConfigurationSINGLE
Transistوأ TypeRF SMALL SIGNAL
Channel TypeN-CHANNEL
FET TechnologyHIGH ELECTRON MOBILITY
DS Breakdown Voltage-Min8 V
Transistوأ ApplicationAMPLIFIER
Surface MountYes
Mfr Package DescriptionROHS COMPLIANT, DIE-4
Operating ModeENHANCEMENT
Number of Terminals4
Highest Frequency BandX BAND
Terminal PositionUPPER
Number of Elements1
Package StyleUNCASED CHIP


ةحاتإلا لجأ نم لصتا

:لجال رعسلا  لك:ىندألا دحلا  1

فدهتسملا رعسلا

.اًيضار كلعجن دقو ، لوبقملا رعسلا ضرعاكب صاخلا فدهتسملا رعسلا

ينف معد

ينف معد

ءالمعلا ءارآ

ةعجارم بتكأ

ءالمعلا باوجو لاؤس

لاؤس حرط