ةغراف قوستلا ةبرع

IRF7807D1

:مقر ءزجلا
IRF7807D1
:نزو
0.0007kg
:جتنملا دودح
Transistوأs - FETs

جتنملا تامولعم

FETKY CoPackaged HEXFET and Schottky
PackageSO-8
CircuitCo-Pack
VBRDSS (V)30
VGs Max (V)12
RDS(on) Max 2.7V (mOhms)
RDS(on) Max 4.5V (mOhms)25.0
RDS(on) Max 10V (mOhms)
ID @ TA = 25C (A)8.3
ID @ TA = 70C (A)6.6
Qg Typ (nC)
Qgd Typ (nC)2.9
Rth(JC) (K/W)50 (JA)
Power Dissipation @ TC = 25C (W)
Power Dissipation @ TA = 25C (W)2.50
Schottky VF (V)0.50
@ IF1.0

84500 نزخملا يف تادحولا


ةحاتإلا لجأ نم لصتا

:لجال رعسلا  لك:ىندألا دحلا  500

فدهتسملا رعسلا

.اًيضار كلعجن دقو ، لوبقملا رعسلا ضرعاكب صاخلا فدهتسملا رعسلا

ينف معد

ينف معد

ءالمعلا ءارآ

ةعجارم بتكأ

ءالمعلا باوجو لاؤس

لاؤس حرط