ةغراف قوستلا ةبرع

1.5 A, 230 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

:مقر ءزجلا
2SK1195
:عناصلا
:جتنملا دودح
Transistوأs (BJT)

جتنملا تامولعم

Terminal FinishTIN LEAD
Terminal FوأmGULL WING
Package ShapeRECTANGULAR
StatusDISCONTINUED
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Transistوأ Element MaterialSILICON
Drain Current-Max (ID)1.5 A
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max2 ohm
Transistوأ TypeGENERAL PURPOSE POWER
Pulsed Drain Current-Max (IDM)3 A
Channel TypeN-CHANNEL
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
DS Breakdown Voltage-Min230 V
Transistوأ ApplicationSWITCHING
Surface MountYes
Case ConnectionDRAIN
Mfr Package DescriptionEPACK-3
Operating ModeENHANCEMENT
Number of Terminals2
Terminal PositionSINGLE
Number of Elements1
Package StyleSMALL OUTLINE


ةحاتإلا لجأ نم لصتا

:لجال رعسلا  لك:ىندألا دحلا  1

فدهتسملا رعسلا

.اًيضار كلعجن دقو ، لوبقملا رعسلا ضرعاكب صاخلا فدهتسملا رعسلا

ينف معد

ينف معد

ءالمعلا ءارآ

ةعجارم بتكأ

ءالمعلا باوجو لاؤس

لاؤس حرط