8 A, 200 V, 0.68 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

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Produktinfodermation

Status	ACTIVE
Channel Type	P-CHANNEL
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Mfr Package Description	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-263, 3 PIN
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	30 A
Terminal Foderm	GULL WING
Operating Mode	ENHANCEMENT
Package Style	SMALL OUTLINE
Drain Current-Max (ID)	8 A
Transistoder Application	SWITCHING
Number of Elements	1
Transistoder Element Material	SILICON
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Terminal Position	SINGLE
Transistoder Type	GENERAL PURPOSE POWER
Package Shape	RECTANGULAR
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max	0.6800 ohm
Number of Terminals	2
DS Breakdown Voltage-Min	200 V
Surface Mount	Yes

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