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0.45 A, 400 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

Teile-Nr.:
BSP298-L6327
Produktauswahl:
Transistoders (BJT)

Produktinfodermation

Terminal FinishMATTE TIN
Terminal FodermGULL WING
Power Dissipation Ambient-Max1.5 W
Avalanche Energy Rating (Eas)130 mJ
Package ShapeRECTANGULAR
StatusDISCONTINUED
Lead FreeYes
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Transistoder Element MaterialSILICON
Drain Current-Max (ID)0.4500 A
EU RoHS CompliantYes
ConfigurationSINGLE
Drain-source On Resistance-Max3 ohm
Transistoder TypeGENERAL PURPOSE POWER
Pulsed Drain Current-Max (IDM)2 A
Channel TypeN-CHANNEL
China RoHS CompliantYes
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
DS Breakdown Voltage-Min400 V
Surface MountYes
Case ConnectionDRAIN
Mfr Package DescriptionSOT-223, 4 PIN
Operating ModeENHANCEMENT
Number of Terminals4
Terminal PositionDUAL
Number of Elements1
Package StyleSMALL OUTLINE


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