X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET

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Produktinfodermation

Status	ACTIVE
Channel Type	N-CHANNEL
Package Body Material	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Mfr Package Description	HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-8, 2 PIN
Terminal Foderm	FLAT
Operating Mode	DEPLETION
Package Style	FLANGE MOUNT
Drain Current-Max (ID)	2.4 A
Transistoder Application	AMPLIFIER
Highest Frequency Band	X BAND
Number of Elements	1
Case Connection	SOURCE
Transistoder Element Material	GALLIUM ARSENIDE
FET Technology	JUNCTION
Terminal Position	DUAL
Transistoder Type	RF POWER
Package Shape	RECTANGULAR
Configuration	SINGLE
Number of Terminals	2
DS Breakdown Voltage-Min	10 V
Surface Mount	Yes

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