X BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET

Das tatsächliche Produkt kann vom gezeigten Bild abweichen

Produktinfodermation

Status	ACTIVE
Channel Type	N-CHANNEL
Case Connection	SOURCE
Mfr Package Description	DIE
Terminal Foderm	NO LEAD
Operating Mode	DEPLETION
Package Style	UNCASED CHIP
Transistoder Application	AMPLIFIER
Highest Frequency Band	X BAND
Number of Elements	1
Transistoder Element Material	SILICON
FET Technology	HIGH ELECTRON MOBILITY
Terminal Position	UPPER
Transistoder Type	RF POWER
Package Shape	RECTANGULAR
Configuration	SINGLE
Package Body Material	UNSPECIFIED
DS Breakdown Voltage-Min	10 V
Surface Mount	Yes

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