X BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HFET

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Produktinfodermation

Status	EOL/LIFEBUY
Channel Type	N-CHANNEL
Package Body Material	UNSPECIFIED
Mfr Package Description	0.024 X 0.093 INCH, 0.004 INCH HEIGHT, DIE-20
Terminal Foderm	NO LEAD
Operating Mode	DEPLETION
Package Style	UNCASED CHIP
Transistoder Application	AMPLIFIER
Highest Frequency Band	X BAND
FET Technology	HETERO-JUNCTION
Terminal Position	UPPER
Transistoder Type	RF POWER
Package Shape	RECTANGULAR
Transistoder Element Material	SILICON
Number of Terminals	20
DS Breakdown Voltage-Min	12 V
Surface Mount	Yes

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