DISCRETE N CHANNEL FET - AOTF12N30

Das tatsächliche Produkt kann vom gezeigten Bild abweichen

Produktinfodermation

Mounting Type	Through Hole
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Drain to Source Voltage (Vdss)	300V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	11.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	420 mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	790pF @ 25V
Power - Max	36W
Packaging	Tube
Gate Charge (Qg) @ Vgs	16nC @ 10V
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
FET Feature	Standard
Lead Free Status	Lead Free
RoHS Status	RoHS Compliant

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