Transistoders RF GaAs DC-12GHz 8mm Pwr pHEMT (0.35um)

Das tatsächliche Produkt kann vom gezeigten Bild abweichen

Produktinfodermation

Technology Type	pHEMT
Frequency	12 GHz
Gain	11 dB
Foderward Transconductance gFS (Max / Min)	3 S
Drain Source Voltage VDS	12 V
Gate-Source Breakdown Voltage	- 14 V
Continuous Drain Current	2.4 A
Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	18-Pin-Die
P1dB	39 dBm

Bieten Sie Ihren akzeptablen Preis an, und wir können Sie zufrieden stellen.Dein Zielpreis