Transistoders RF MOSFET Power .5-2GHz 30W 28Volts LDMOS

Das tatsächliche Produkt kann vom gezeigten Bild abweichen

Produktinfodermation

Configuration	Single
Transistoder Polarity	N-Channel
Frequency	0.5 GHz to 2 GHz
Gain	10 dB
Output Power	30 W
Drain-Source Breakdown Voltage	65 V
Continuous Drain Current	4.25 A
Gate-Source Breakdown Voltage	15 V
Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Package / Case	PowerBand
Packaging	Tray
Foderward Transconductance gFS (Max / Min)	3 S
Mounting Style	SMD/SMT
Power Dissipation	135 W

Bieten Sie Ihren akzeptablen Preis an, und wir können Sie zufrieden stellen.Dein Zielpreis