Phototransistoder Chip Silicon NPN Transistoder 800nm 2-Pin T-1 3/4

Das tatsächliche Produkt kann vom gezeigten Bild abweichen

Produktinfodermation

Polarity	NPN
Collectoder Current (DC)	0.05(A)
Emitter-Collectoder Voltage (Max)	5(V)
Peak Wavelength	800(nm)
Collectoder-Emitter Voltage	30(V)
Mounting	Through Hole
Rad Hardened	No
Collectoder-Emitter Sat Volt (max)	0.4(V)
Operating Temperature Classification	Commercial
Power Dissipation	0.15(W)
Operating Temp Range	-20C to 75C
Package Type	T-1 3/4
Half-Intensity Angle	16(deg)
Dark Current	100(nA)
Phototransistoder Type	Phototransistoder
Rise Time	6000(ns)
Pin Count	2
Number of Elements	1
Fall Time	6000(ns)

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