Photodiodes High Speed Si APD 800um Active Area

Das tatsächliche Produkt kann vom gezeigten Bild abweichen

Produktinfodermation

Type	Silicon Avalanche Photodiode
Photodiode Material	Silicon
Peak Wavelength	410 nm
Half Intensity Angle Degrees	64 deg
Maximum Dark Current	5 nA
Package / Case	TO-52-S1
Light Current	2 uA
Maximum Operating Temperature	+ 85 C
Minimum Operating Temperature	- 40 C
Mounting Style	Through Hole
Packaging	Bulk
Power Dissipation	100 mW
Product	Avalanche Photodiode
Reverse Voltage	100 V
Rise Time	0.28 ns
Sensitivity	25 A/W
Factodery Pack Menge	50

Bieten Sie Ihren akzeptablen Preis an, und wir können Sie zufrieden stellen.Dein Zielpreis