1200 A, 3300 V, N-CHANNEL IGBT

Das tatsächliche Produkt kann vom gezeigten Bild abweichen

Produktinfodermation

Status	ACTIVE
Channel Type	N-CHANNEL
Package Body Material	UNSPECIFIED
Mfr Package Description	HIPAK-9
Terminal Foderm	UNSPECIFIED
Package Style	FLANGE MOUNT
Turn-off Time-Nom (toff)	1770 ns
Collectoder-emitter Voltage-Max	3300 V
Transistoder Element Material	SILICON
Collectoder Current-Max (IC)	1200 A
Case Connection	ISOLATED
Turn-on Time-Nom (ton)	730 ns
Terminal Position	UPPER
Transistoder Type	INSULATED GATE BIPOLAR
Package Shape	RECTANGULAR
Configuration	COMPLEX
Number of Terminals	9
Number of Elements	3

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