IGBT Array & Module Transistoder, N Channel, 100 A, 2.4 V, 310 W,

Das tatsächliche Produkt kann vom gezeigten Bild abweichen

Produktinfodermation

Transistoder Polarity:	N Channel
Collectoder Emitter Voltage V(br)ceo:	600 V
Collectoder Emitter Voltage Vces:	2.4 V
No. of Pins:	7
DC Collectoder Current:	100 A
Power Dissipation Pd:	310 W
Transistoder Case Style:	Module
Operating Temperature Max:	150 C
SVHC:	To Be Advised

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