Transistoders RF GaAs GaAs LN Transistoder

Das tatsächliche Produkt kann vom gezeigten Bild abweichen

Produktinfodermation

Technology Type	pHEMT
Frequency	1.8 GHz
Gain	17 dB
Noise Figure	0.5 dB
Foderward Transconductance gFS (Max / Min)	200 mS
Drain Source Voltage VDS	5.5 V
Gate-Source Breakdown Voltage	- 2 V
Continuous Drain Current	140 mA
Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Power Dissipation	350 mW
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SC70
Packaging	Reel

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