Transistoders RF GaAs GaAs Power MMIC

Das tatsächliche Produkt kann vom gezeigten Bild abweichen

Produktinfodermation

Technology Type	HEMT
Frequency	1.8 GHz
Gain	9.5 dB
Noise Figure	1.72 dB
Drain Source Voltage VDS	9 V
Gate-Source Breakdown Voltage	- 6 V
Continuous Drain Current	1 A
Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Power Dissipation	2 W
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-223
P1dB	26.5 dBm
Packaging	Reel

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