Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.2A 3-Pin CDIP SMD Blister

Das tatsächliche Produkt kann vom gezeigten Bild abweichen

Produktinfodermation

Reverse Capacitance (Typ)	0.5@26V pF
Continuous Drain Current	2.2 A
Mounting	Surface Mount
Application	UHF
Drain Efficiency (Typ)	38(Min) %
Screening Level	Military
VSWR (Max)	10
Input Capacitance (Typ)@Vds	11@26V pF
Package Type	CDIP SMD
Drain Source Resistance (Max)	1050(Typ)@10V mohm
Drain Source Voltage (Max)	65 V
Frequency (Min)	800 MHz
Foderward Transconductance (Typ)	0.5 S
Frequency (Max)	1000 MHz
Channel Type	N
Output Capacitance (Typ)@Vds	9@26V pF
Operating Temp Range	-65C to 200C
Pin Count	3
Channel Mode	Enhancement
Packaging	Blister
Rad Hardened	No
Power Gain (Typ)@Vds	16.5(Min)@26V dB
Number of Elements	1

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