Photodiodes High Speed Epitaxial .5x.5mm Active Area

Das tatsächliche Produkt kann vom gezeigten Bild abweichen

Produktinfodermation

Photodiode Material	Silicon
Peak Wavelength	850 nm
Half Intensity Angle Degrees	119 deg
Maximum Dark Current	0.3 nA
Package / Case	TO-52-S1
Light Current	10 uA
Maximum Operating Temperature	+ 100 C
Minimum Operating Temperature	- 40 C
Mounting Style	Through Hole
Packaging	Bulk
Product	PIN Photodiode
Reverse Voltage	50 V
Rise Time	0.4 ns
Sensitivity	0.52 A/W
Factodery Pack Menge	50

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