100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT

Das tatsächliche Produkt kann vom gezeigten Bild abweichen

Produktinfodermation

Status	ACTIVE
Channel Type	N-CHANNEL
Package Body Material	UNSPECIFIED
Mfr Package Description	12.60 X 12.60 MM, DIE-2
Terminal Foderm	NO LEAD
Package Style	UNCASED CHIP
Turn-off Time-Nom (toff)	540 ns
Collectoder Current-Max (IC)	100 A
Collectoder-emitter Voltage-Max	1200 V
Transistoder Element Material	SILICON
Number of Elements	1
Turn-on Time-Nom (ton)	275 ns
Terminal Position	UPPER
Transistoder Type	INSULATED GATE BIPOLAR
Package Shape	SQUARE
Configuration	SINGLE
Number of Terminals	2
Surface Mount	Yes

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