75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT

Das tatsächliche Produkt kann vom gezeigten Bild abweichen

Produktinfodermation

Status	ACTIVE
Channel Type	N-CHANNEL
Package Body Material	UNSPECIFIED
Mfr Package Description	10.20 X 10.20 MM, DIE-2
Terminal Foderm	NO LEAD
Package Style	UNCASED CHIP
Turn-off Time-Nom (toff)	570 ns
Collectoder Current-Max (IC)	75 A
Collectoder-emitter Voltage-Max	1200 V
Transistoder Element Material	SILICON
Number of Elements	1
Turn-on Time-Nom (ton)	245 ns
Terminal Position	UPPER
Transistoder Type	INSULATED GATE BIPOLAR
Package Shape	SQUARE
Configuration	SINGLE
Number of Terminals	2
Surface Mount	Yes

Bieten Sie Ihren akzeptablen Preis an, und wir können Sie zufrieden stellen.Dein Zielpreis