Trans RF MOSFET N-CH 65V 4-Pin HSOP-F

Das tatsächliche Produkt kann vom gezeigten Bild abweichen

Produktinfodermation

Reverse Capacitance (Typ)	1.5@28V(pF)
Frequency (Min)	600(MHz)
Channel Mode	Enhancement
Input Capacitance (Typ)@Vds	79@28V(pF)
Mounting	Surface Mount
Foderward Transconductance (Typ)	6(S)
Rad Hardened	No
Frequency (Max)	960(MHz)
Channel Type	N
Output Capacitance (Typ)@Vds	32@28V(pF)
Mode Of Operation	PULSED CW
Operating Temp Range	-65C to 225C
Drain Efficiency (Typ)	59.7(%)
Package Type	HSOP-F
Drain Source Voltage (Max)	65(V)
Screening Level	Military
Power Gain (Typ)@Vds	19.4@28V(dB)
Pin Count	4
Number of Elements	2
Output Power (Max)	160

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