DISCRETE N CHANNEL FET - AOB1100L

Das tatsächliche Produkt kann vom gezeigten Bild abweichen

Produktinfodermation

Mounting Type	Surface Mount
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	130A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.7 mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4833 @ 25V
Power - Max	500W
Packaging	--Reel
Gate Charge (Qg) @ Vgs	100nC @ 10V
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
FET Feature	Standard
Lead Free Status	Lead Free
RoHS Status	RoHS Compliant

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