MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC - SI4435DYPBF

Das tatsächliche Produkt kann vom gezeigten Bild abweichen

Produktinfodermation

Mounting Type	Surface Mount
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2320pF @ 15V
Power - Max	2.5W
Packaging	Tube
Gate Charge (Qg) @ Vgs	60nC @ 10V
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FET Feature	Logic Level Gate
Lead Free Status	Lead Free
RoHS Status	RoHS Compliant

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