Transistoders RF GaAs 1.25mm GaN Discrete

Das tatsächliche Produkt kann vom gezeigten Bild abweichen

Produktinfodermation

Technology Type	HEMT
Frequency	18 GHz
Gain	15 dB
Drain Source Voltage VDS	40 V
Gate-Source Breakdown Voltage	- 3 V
Continuous Drain Current	375 mA
Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	2-Pin-Die
P1dB	38 dBm

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