IGBT Array & Module Transistoder, Dual Pack, Dual N Channel, 1.8 k

Das tatsächliche Produkt kann vom gezeigten Bild abweichen

Produktinfodermation

Transistoder Polarity:	Dual N Channel
Collectoder Emitter Voltage V(br)ceo:	1.2 kV
Collectoder Emitter Voltage Vces:	1.75 V
No. of Pins:	12
DC Collectoder Current:	1.8 kA
Power Dissipation Pd:	7.65 kW
Transistoder Case Style:	Module
Operating Temperature Max:	150 C
SVHC:	To Be Advised

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