IGBT Array & Module Transistoder, N Channel, 200 A, 2.3 V, 735 W,

Das tatsächliche Produkt kann vom gezeigten Bild abweichen

Produktinfodermation

Transistoder Polarity:	N Channel
Collectoder Emitter Voltage V(br)ceo:	1.2 kV
Collectoder Emitter Voltage Vces:	2.3 V
No. of Pins:	7
DC Collectoder Current:	200 A
Power Dissipation Pd:	735 W
Transistoder Case Style:	Module
Operating Temperature Max:	150 C
SVHC:	To Be Advised

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