X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET

Das tatsächliche Produkt kann vom gezeigten Bild abweichen

Produktinfodermation

Status	ACTIVE
Channel Type	N-CHANNEL
Package Body Material	UNSPECIFIED
Mfr Package Description	METAL CERAMIC PACKAGE-4
Terminal Foderm	FLAT
Power Dissipation Ambient-Max	0.2200 W
Package Style	DISK BUTTON
Highest Frequency Band	X BAND
Transistoder Application	AMPLIFIER
Operating Mode	DEPLETION
Number of Elements	1
Case Connection	SOURCE
Transistoder Element Material	GALLIUM ARSENIDE
FET Technology	JUNCTION
Terminal Position	RADIAL
Transistoder Type	RF SMALL SIGNAL
Package Shape	ROUND
Configuration	SINGLE
Number of Terminals	4
DS Breakdown Voltage-Min	4 V
Surface Mount	Yes

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