MOSFET 100V 90A E-Mode GaN Preproduction Units

Das tatsächliche Produkt kann vom gezeigten Bild abweichen

Produktinfodermation

Mounting Style	SMD/SMT
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Transistoder Polarity	N-Channel
Rds On - Drain-Source Resistance	7.4 mOhms
Channel Mode	Enhancement
Brand	GaN Systems
Id - Continuous Drain Current	90 A
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.6 V
Packaging	Tray
Product Categodery	MOSFET
Qg - Gate Charge	16 nC
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	+/- 10 V
RoHS	Details
Manufacturer	GaN Systems

Bieten Sie Ihren akzeptablen Preis an, und wir können Sie zufrieden stellen.Dein Zielpreis